深圳方正微電子有限公司
電話：（86-0755）66823888（總機）
地址：廣東省深圳市龍崗區寶龍七路5號方正微電子工業園
地址：廣東省深圳市龍崗區寶龍七路5號方正微電子工業園
品質為先，優質穩定，立即聯系我們？
聯系我們
應用場景
Application scenario
氮化(hua)鎵(jia)材料的研究與應用一直都是全球半導體研究的前沿和熱點，除了穩定性和耐高溫、耐高壓等優勢外，氮化鎵還擁有良好導熱性、體積小、能耗小等優勢，使得氮(dan)化鎵在變壓器和充電器等領域中能得到了廣泛的應用。此前的快充消費品的迅速技術迭代足以證明，消費性筆記本電腦、平板、手機等快充（低壓）是氮化鎵目前的主要應用領域；從中長期來看，工業電源、數據中心、新能源汽車（EV）、充電樁、LED大功率電源等中壓應用，將是氮化鎵新一輪增長的主要拉動力。
GaN第(di)一(yi)次改(gai)變光(guang)電是發生在(zai)(zai)光(guang)源端，基于(yu)GaN的(de)LED技(ji)術在(zai)(zai)照明(ming)、顯(xian)示屏等領域，已(yi)經大幅(fu)取代了傳統(tong)低(di)效的(de)照明(ming)和顯(xian)示技(ji)術，實現(xian)了巨大的(de)節(jie)能(neng)減(jian)排效益，以(yi)燈(deng)泡為(wei)例，LED光(guang)效提(ti)升(sheng)(sheng)了7.5倍(bei)左右(you)，壽(shou)命也提(ti)升(sheng)(sheng)了30倍(bei)。越來(lai)越多的(de)照明(ming)廠商在(zai)(zai)LED驅(qu)動(dong)器(qi)（LED 電源）端采用(yong)GaN器(qi)件，對(dui)LED燈(deng)具進(jin)行新一(yi)輪的(de)創新升(sheng)(sheng)級。由于(yu)GaN 的(de)柵極電荷(Qg)為(wei)SI器(qi)件的(de)1/12, 當(dang)在(zai)(zai)更高開關頻率切(qie)換時， GaN技(ji)術可以(yi)減(jian)少90%的(de)驅(qu)動(dong)損(sun)耗。 ;此外，由于(yu)沒(mei)有體(ti)二極管， GaN器(qi)件沒(mei)有反向恢復損(sun)耗，可實現(xian)更好的(de)EMI性能(neng)，這意味著GaN技(ji)術不需(xu)要太復雜的(de)EMI電路，從而節(jie)省了成本和額外的(de)損(sun)耗。
作為(wei)大型“充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)寶”，移動儲能(neng)(neng)(neng)產品非常(chang)流(liu)行，通常(chang)包含充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)和(he)(he)(he)放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)2個電(dian)(dian)(dian)路，充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)方式(shi)有市電(dian)(dian)(dian)和(he)(he)(he)太陽能(neng)(neng)(neng)兩種(zhong)，市電(dian)(dian)(dian)充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)由PFC和(he)(he)(he)隔(ge)離(li)(li)DC-DC組成(cheng)；太陽能(neng)(neng)(neng)充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)由光(guang)伏面板和(he)(he)(he)MPPT組成(cheng)；可提(ti)供交(jiao)流(liu)輸出(chu)(chu)和(he)(he)(he)直流(liu)輸出(chu)(chu)2種(zhong)放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)功(gong)能(neng)(neng)(neng)，交(jiao)流(liu)輸出(chu)(chu)由隔(ge)離(li)(li)DC-DC和(he)(he)(he)逆變組成(cheng)；直流(liu)輸出(chu)(chu)通常(chang)由非隔(ge)離(li)(li)DC-DC組成(cheng)。GaN器件其中多個環節都(dou)可以(yi)應用，可為(wei)移動儲能(neng)(neng)(neng)產品實現(xian)雙向逆變器功(gong)能(neng)(neng)(neng)，不僅可以(yi)提(ti)升系統效率(lv)，還能(neng)(neng)(neng)提(ti)供高能(neng)(neng)(neng)量轉(zhuan)化率(lv)，實現(xian)無(wu)風扇設計，此外可以(yi)縮小性器件尺(chi)寸和(he)(he)(he)重量，使得(de)儲能(neng)(neng)(neng)產品更輕便。
以手機(ji)快充(chong)為例，今天的(de)(de)手機(ji)變得(de)越來越強大，這要求給手機(ji)充(chong)電的(de)(de)適配器往(wang)更大功率(lv)(lv)、更高功率(lv)(lv)密(mi)度方向(xiang)發展，GaN的(de)(de)高頻、高效特(te)性(xing)正好滿足此要求。與傳(chuan)統Si MOSFET相比，GaN具有以下優點(dian):
1、低Qg/Ciss，低Coss/ qss：開(kai)關速(su)度快(kuai)，減少開(kai)關損耗；
2 、Qrr=0：無(wu)反(fan)向恢復損失(無(wu)體(ti)二極(ji)管)，降低開關噪聲(sheng)，更好的EMI性能(neng)；
3 、低(di) RDSON: 降低(di)傳導損耗。
氮(dan)化鎵這種(zhong)高效率、低損耗與高頻率的特性，令其在充電器(qi)行業大放異彩。相(xiang)比于(yu)普通充電器(qi)，相(xiang)同功(gong)率下，氮(dan)(dan)化(hua)鎵適配(pei)器的體積更小，且一(yi)個氮(dan)(dan)化(hua)鎵充(chong)電(dian)器可滿足多個電(dian)子產品充(chong)電(dian)，使用便捷度大大提高。
